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及抗辐射等关键参数方面具有显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。以碳
化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件具有优越的电气性能。 正是由于碳化硅器件具备的上述优越
性能，可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频及抗辐射等恶劣工作条件的新要求，从而成为
半导体材料领域最具前景的材料之一。