公司简介
新闻中心
GaN系列
SJ MOS系列
IGBT系列
SiC系列- SiC肖特基二极管
认证报告
品管组织架构
品质保证流程
产品保证品质屋
投诉处理流程
运营管理体系
研发管理体系
制造管理体系
严谨的品质管理体系
MES系统可追溯制造过程
未来产品及技术发展路线图
及抗辐射等关键参数方面具有显著优势,进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。以碳
化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件具有优越的电气性能。 正是由于碳化硅器件具备的上述优越
性能,可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频及抗辐射等恶劣工作条件的新要求,从而成为
半导体材料领域最具前景的材料之一。